浙江力积存储科技申请半导体器件及其制备方法专利, 提高芯片的互联密度

国家知识产权局信息显示，浙江力积存储科技股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、芯片和电子装置”的专利，公开号CN121865630A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，一种半导体器件及其制备方法、芯片和电子装置，该半导体器件包括：相邻的第一DRAM层和第二DRAM层，第一DRAM层包括第一衬底层、第一背面键合层以及第一DRAM单元层，第一衬底层中形成有第一衬底互连结构，第一背面键合层包括第一背面键合介电层以及第一背面互连结构，第一背面互连结构包括第一背面键合导电层；第二DRAM层包括第二衬底层、第二DRAM单元层以及第二正面键合层，第二正面键合层包括第二正面键合介电层以及第二正面互连结构，第二正面互连结构包括第二正面键合导电层；第一背面键合介电层与第二正面键合介电层相接合，第一背面键合导电层与第二正面键合导电层相接合，实现多片DRAM层之间采用正面到背面的混合键合，提高芯片的互联密度。

天眼查资料显示，浙江力积存储科技股份有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本27000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江力积存储科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息25条，专利信息101条。

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